品牌 | Ophir | 價(jià)格區(qū)間 | 面議 |
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組成要素 | 氣體激光器產(chǎn)品及設(shè)備 | 產(chǎn)地類別 | 進(jìn)口 |
激光M2分析儀:BeamSquared
產(chǎn)品特性:
•速度快:1分鐘內(nèi)出結(jié)果,數(shù)據(jù),業(yè)內(nèi)*符合ISO 11146標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品,可長時(shí)間一周七天嚴(yán)苛環(huán)境連續(xù)使用,根據(jù)實(shí)驗(yàn)環(huán)境不同,可以豎直儀器使用測量數(shù)據(jù)
•折疊腔,光路升級,體積更加小巧,含自動(dòng)衰減器
• 連續(xù)和脈沖激光均可測量,一維、二維、三維成像
• 全自動(dòng)分析激光光束質(zhì)量:光斑大小、能量分布、質(zhì)心、峰值中心、高斯擬合度、光斑指向穩(wěn)定性、M2 因子、發(fā)散角等,所有結(jié)果均符合ISO 標(biāo)準(zhǔn),可輸出PDF 測量結(jié)果報(bào)告以及多種格式的日志
•Ultracal單點(diǎn)背景扣除技術(shù)可得到高度測量結(jié)果,所有測量參數(shù)符合ISO 標(biāo)準(zhǔn),可追溯至NIST 標(biāo)準(zhǔn)
產(chǎn)品參數(shù):
儀器型號:BeamSquared
波長范圍:266 - 1100nm(Silicon探測器)
650-1700nm( InGaAs探測器)
355-164nm,10.6-3000um(熱釋電探測器)
接口方式:USB2.0&USB3.0
有效像素:3.69µm x 3.69µm(Silicon探測器)分辨率:1928*1448(Silicon探測器)
30µm x 30µm( InGaAs探測器) 320*256( InGaAs探測器)
80μm x 80μm(熱釋電探測器) 320*320 160*160 (熱釋電探測器)
幀速(Full Resolution):26 fps, 100Hz
儀器尺寸45.9cm×21.7cm×11.5cm
重量:26lbs(11.7kg)