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少子壽命成像測(cè)試儀

簡(jiǎn)要描述:SPM900系列少子壽命成像測(cè)試儀在顯微鏡上加載少子壽命測(cè)試模塊,對(duì)于微小型器件的研究及質(zhì)量控制十分重要。系統(tǒng)主體包括顯微鏡主體、激光光源、光子計(jì)數(shù)檢測(cè)器、單色儀及自動(dòng)XY樣品臺(tái)等部分,可實(shí)現(xiàn)微區(qū)單點(diǎn)少子壽命測(cè)量和少子壽命成像檢測(cè)。

  • 產(chǎn)品型號(hào):SPM900
  • 廠商性質(zhì):代理商
  • 更新時(shí)間:2024-10-16
  • 訪  問(wèn)  量:1121
詳細(xì)介紹
品牌其他品牌應(yīng)用領(lǐng)域電子,綜合

SPM900 系列少子壽命成像測(cè)試儀原理說(shuō)明

非平衡少數(shù)載流子

少數(shù)載流子的壽命是半導(dǎo)體材料的一個(gè)重要參數(shù),也是評(píng)價(jià)半導(dǎo)體質(zhì)量的一個(gè)指標(biāo)。例如在光伏電池中,少子壽命決定了少子擴(kuò)散長(zhǎng)度, 決定了光吸收層、內(nèi)建電場(chǎng)區(qū)域的厚度設(shè)計(jì)等重要的器件參數(shù);載流子壽命也可以反映器件中雜質(zhì)或者缺陷的影響,抑或是存在污染, 進(jìn)行失效分析,對(duì)工藝過(guò)程進(jìn)行優(yōu)化。


載流子的復(fù)合

在一定溫度下,處于熱平衡狀態(tài)的半導(dǎo)體材料,電子- 空穴對(duì)的產(chǎn)生和復(fù)合保持一種動(dòng)態(tài)平衡,載流子濃度是一定的。然而,外界的作用會(huì)破壞這種熱平衡,使其處于與熱平衡相偏離的狀態(tài),隨之改變的是載流子的濃度, 多于平衡值的載流子就是非平衡載流子。非平衡少數(shù)載流子也稱也稱少子,通常對(duì)于半導(dǎo)體器件的性能起到?jīng)Q定性的作用。

當(dāng)外界作用撤掉后,處于非平衡態(tài)的載流子會(huì)通過(guò)復(fù)合而產(chǎn)生衰減,直到載流子濃度恢復(fù)到之前的熱平衡狀態(tài)。載流子的復(fù)合方式可以分為三類:SRH 復(fù)合、輻射復(fù)合及俄歇復(fù)合(直接和間接)。



(a) SRH 復(fù)合; (b) 輻射復(fù)合; (c) 直接俄歇復(fù)合;(d)間接俄歇復(fù)合


少子壽命測(cè)試

少子壽命的測(cè)量通常包括非平衡載流子的注入和檢測(cè)兩個(gè)方面,*常用的注入方法是光注入和電注入。對(duì)于間接帶隙的半導(dǎo)體,常使用電注入或者微波光電導(dǎo)衰減的方法進(jìn)行少子壽命測(cè)試,間接帶隙半導(dǎo)體一般壽命較長(zhǎng), 為毫秒量級(jí)。而對(duì)于GaAs 這類的直接間隙半導(dǎo)體,復(fù)合的能量幾乎全部以發(fā)光的形式放出,發(fā)光效率高,壽命較短(典型的壽命在10-8-10-9s),通常使用時(shí)間分辨光致發(fā)光光譜(TRPL)的方法來(lái)進(jìn)行測(cè)試。



激光掃描少子壽命成像測(cè)量?jī)xSPM900

當(dāng)外界作用停止以后,少子的濃度(ΔC)隨時(shí)間t 增長(zhǎng)呈指數(shù)衰減的規(guī)律。由以下方程可知,少子的壽命為當(dāng)少子濃度衰減到初始濃度1/e 時(shí)候所經(jīng)歷的時(shí)間。在輻射復(fù)合中,發(fā)光的強(qiáng)度與少子的濃度相關(guān),因此可以通過(guò)檢測(cè)發(fā)光的壽命來(lái)獲得少子的壽命信息。



當(dāng)在顯微鏡上加載少子壽命測(cè)試模塊,就可以得到微區(qū)下半導(dǎo)體器件的少子壽命分布信息,這對(duì)于微小型器件的研究及質(zhì)量控制十分重要。激光掃描少子壽命成像儀基于時(shí)間相關(guān)單光子計(jì)數(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì),包含顯微鏡主體,激光光源,光子計(jì)數(shù)檢測(cè)器,單色儀以及自動(dòng)XY 樣品臺(tái)等部分。位于顯微鏡上的激光光源用于樣品的激發(fā),通過(guò)控制樣品臺(tái)的移動(dòng),可以進(jìn)行微區(qū)單點(diǎn)少子壽命測(cè)量和少子壽命成像。



少子壽命成像測(cè)試應(yīng)用

  • 外延ZnS 薄膜半導(dǎo)體

  • 本征帶- 淺雜質(zhì)復(fù)合

  • 半導(dǎo)體中施主- 受主對(duì)復(fù)合

  • 深能級(jí)復(fù)合

  • III-V 族載流子雜質(zhì)俘獲過(guò)程研究

  • 非輻射中心的電子弛豫及復(fù)合機(jī)制研究

  • 半導(dǎo)體外延片缺陷和雜質(zhì)檢測(cè)



測(cè)試軟件

控制測(cè)試界面

測(cè)試軟件的界面遵循“All In One"的簡(jiǎn)潔設(shè)計(jì)思路,用戶可在下圖所示的控制界面中完成采集數(shù)據(jù)的所有步驟:包括控制樣品平移臺(tái)移動(dòng),通過(guò)顯微鏡的明場(chǎng)光學(xué)像定位到合適區(qū)域,框選掃描區(qū)域進(jìn)行掃描,逐點(diǎn)獲得熒光衰減曲線,實(shí)時(shí)生成熒光圖像等。


數(shù)據(jù)處理界面

功能豐富的熒光壽命數(shù)據(jù)處理軟件,充分挖掘用戶數(shù)據(jù)中的寶貴信息??勺詣?dòng)對(duì)掃描獲得的FLIM 數(shù)據(jù),逐點(diǎn)進(jìn)行多組分熒光壽命擬合(組分?jǐn)?shù)小于等于4),對(duì)逐點(diǎn)擬合獲得的熒光強(qiáng)度、熒光壽命等信息生成偽彩色圖像顯示。


3D 顯示功能


少子壽命測(cè)試案例

MicroLED

MicroLED 顯示技術(shù)是指以自發(fā)光的微米量級(jí)的LED 為發(fā)光像素單元,將其組裝到驅(qū)動(dòng)面板上形成高密度LED 陣列的顯示技術(shù), 在發(fā)光亮度、分辨率、對(duì)比度、穩(wěn)定性、能量損耗等方面有很大優(yōu)勢(shì),可以應(yīng)用在AR/VR,可穿戴光電器件,柔性顯示屏等領(lǐng)域。由于MicroLED 的尺寸在微米級(jí)別,因此需要在顯微鏡下進(jìn)行檢測(cè)。下圖為使用少子壽命成像系統(tǒng)對(duì)直徑為80 微米的MicroLED 微盤進(jìn)行測(cè)試。

單組分?jǐn)M合,可以看到紅圈中的污損位置,雖然影響發(fā)光強(qiáng)度,但對(duì)發(fā)光壽命沒(méi)有影響



鈣鈦礦測(cè)試

鈣鈦礦屬于直接帶隙半導(dǎo)體材料,具有高光學(xué)吸收,高增益系數(shù)、高缺陷容忍度、帶隙可調(diào),制備成本低等優(yōu)點(diǎn),可以廣泛應(yīng)用在光子學(xué)與光電信息功能器件等領(lǐng)域,例如鈣鈦礦太陽(yáng)能電池,鈣鈦礦量子點(diǎn),鈣鈦礦LED 等材料的研究。對(duì)于鈣鈦礦中的載流子輻射復(fù)合的研究對(duì)于提供器件的光電轉(zhuǎn)換性能有很大的幫助。

以下示例為鈣鈦礦樣品的少子輻射復(fù)合發(fā)光成像和壽命成像。圖中可見(jiàn)此鈣鈦礦樣品有兩個(gè)壽命組分,且不同壽命組分的相對(duì)含量也可以從相對(duì)振幅成像圖中很直觀的看到。

晶圓級(jí)大尺寸的少子壽命成像測(cè)試儀


4、6、8 英寸晶圓樣品測(cè)試,可在此基礎(chǔ)上增加小行程電動(dòng)位移臺(tái)實(shí)現(xiàn)數(shù)百納米至微米尺度的精細(xì)掃描


顯微尺度的少子壽命成像測(cè)試儀

參數(shù)指標(biāo)

系統(tǒng)性能指標(biāo):

光譜掃描范圍

200-900nm

*小時(shí)間分辨率

16ps

壽命測(cè)量范圍

500ps-1ms(具體視激光器而定)

小尺寸空間分辨率

≤ 1μm@100X 物鏡@405nm 皮秒脈沖激光器

大尺寸掃描

可適用4 英寸、6 英寸、8 英寸樣品

配置參數(shù):

脈沖激光器

375nm 皮秒脈沖激光器,脈寬:30ps,平均功率1.5mW@50MHz

405nm 皮秒脈沖激光器,脈寬:25ps,平均功率2.5mW@50MHz

450nm 皮秒脈沖激光器,脈寬:50ps,平均功率1.9mW@50MHz

488nm 皮秒脈沖激光器,脈寬:70ps,平均功率1.3mW@50MHz

510nm 皮秒脈沖激光器,脈寬:75ps,平均功率1.1mW@50MHz

635nm 皮秒脈沖激光器,脈寬:65ps,平均功率4.3mW@50MHz

660nm 皮秒脈沖激光器,脈寬:60ps,平均功率1.9mW@50MHz

670nm 皮秒脈沖激光器,脈寬:40ps,平均功率0.8mW@50MHz

其他皮秒或納秒脈沖激光器具體視材料及激發(fā)波長(zhǎng)而定

科研級(jí)正置顯微鏡

落射明暗場(chǎng)鹵素?zé)粽彰鳎?2V,100W

5 孔物鏡轉(zhuǎn)盤,標(biāo)配明場(chǎng)用物鏡:10×,50×,100×

監(jiān)視CCD:高清彩色CMOS 攝像頭,像元尺寸:3.6μm*3.6μm,

有效像素:1280H*1024V,掃描方式:逐行,快門方式:電子快門

小尺寸掃描用電動(dòng)位移臺(tái)

高精度電動(dòng)XY 樣品臺(tái),行程:75*50mm(120*80mm 可選),

*小步進(jìn):50nm,重復(fù)定位精度< 1μm

大尺寸掃描用電動(dòng)位移臺(tái)

XY 軸行程200mm/250mm,單向定位精度≤ 30μm,水平負(fù)載:30Kg;

光譜儀

320mm焦距影像校正單色儀,雙入口、狹縫出口、CCD出口,配置三塊68×68mm大面積光柵, 波長(zhǎng)準(zhǔn)確度:±0.1nm,波長(zhǎng)重復(fù)性:±0.01nm,掃描步距:0.0025nm,

焦面尺寸:30mm(w)×14mm(h),狹縫縫寬:0.01-3mm 連續(xù)電動(dòng)可調(diào)

探測(cè)器:制冷型紫外可見(jiàn)光電倍增管,光譜范圍:185-900nm(標(biāo)配,可擴(kuò)展)

光譜CCD

( 可擴(kuò)展PL mapping)

低噪音科學(xué)級(jí)光譜CCD(LDC-DD),芯片格式:2000x256,像元尺寸:15μm*15μm,

探測(cè)面:30mm*3.8mm,背照式深耗盡芯片,低暗電流,

*低制冷溫度-60℃ @25℃環(huán)境溫度,風(fēng)冷,*高量子效率值>95%

時(shí)間相關(guān)單光子計(jì)數(shù)器

(TCSPC)

時(shí)間分辨率:16/32/64/128/256/512/1024ps……33.55μs,死時(shí)間< 10ns,

*高65535 個(gè)直方圖時(shí)間窗口,瞬時(shí)飽和計(jì)數(shù)率:100Mcps,支持穩(wěn)態(tài)光譜測(cè)試;

OmniFlμo-FM 壽命成像

專用軟件

控制功能:控制樣品平移臺(tái)移動(dòng),通過(guò)顯微鏡的明場(chǎng)光學(xué)像定位到合適區(qū)域,

框選掃描區(qū)域進(jìn)行掃描,逐點(diǎn)獲得發(fā)光衰減曲線,實(shí)時(shí)生成發(fā)光圖像等

數(shù)據(jù)處理功能:自動(dòng)對(duì)掃描獲得的壽命成像數(shù)據(jù),逐點(diǎn)進(jìn)行多組分發(fā)光壽命擬合

( 組分?jǐn)?shù)小于等于4),對(duì)逐點(diǎn)擬合獲得的發(fā)光強(qiáng)度、發(fā)光壽命等信息生成偽彩色圖像顯示

圖像處理功能:直方圖、色表、等高線、截線分析、3D 顯示等

操作電腦

品牌操作電腦,Windows 10 操作系統(tǒng)

 


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